چین با فناوری انقلابی 4F² جهان را غافلگیر کرد
به گزارش لباس دونی، غول نوظهور صنعت تراشه سازی چین با معرفی معماری انقلابی ۴F² مدعی عبور از سامسونگ و اس کی هاینیکس شد و بازار سهام را تکان داد.
به گزارش لباس دونی به نقل از خبر آنلاین، به نقل از زومیت، چائو کانیو، رئیس شرکت CXMT، در جریان همایشی صنعتی در شانگهای اعلام نمود که آنها توسعه معماری اختصاصی جدیدی موسوم به ۴F² را به انتها رسانده اند و تا قبل از پایان امسال میلادی، محصولاتی با تراکم فوق العاده بالا برای سرورهای دیتاسنتر به بازار خواهند فرستاد.
این خبر بلا فاصله واکنش هیجانی بازار سرمایه را بدنبال داشت؛ ارزش سهام سامسونگ ۷٫۴ درصد و اس کی هاینیکس ۱۰ درصد در بورس کره ی جنوبی سقوط کرد و مایکرون در وال استریت افت ۴ درصدی را تجربه نمود.
معماری ۴F² چیست و چرا تحولی بزرگ شمرده می شود؟ استاندارد رایج و تثبیت شده ی صنعت نیمه رسانا امروزه بر پایه ی طراحی ۶F² قرار دارد؛ معیاری که مساحت هر سلول حافظه را برمبنای ضریبی از ابعاد پایه تعیین می کند. سال ها است که رهبران بازار تلاش دارند با کاهش این نسبت به ۴F²، تراکم ترانزیستورها را به صورت شایان توجهی بدون نیاز به ماشین آلات لیتوگرافی فرابنفش بسیار پیشرفته ارتقاء دهند.
شرکت CXMT برای غلبه بر چالش های فیزیکی، روش ترانزیستورهای گیت احاطه کننده ی عمودی (Vertical Surrounding Gate) را برگزیده تا نشت الکتریکی و اختلالات سیگنال مهار شوند.
نوآوری کلیدی در این موفقیت، جداسازی کامل فرایند تولید سلول های ذخیره سازی از مدارهای منطقی جانبی محسوب می شود. بر خلاف شیوه های متداول که هر دو بخش روی یک ویفر سیلیکونی ساخته می شوند، مهندسان CXMT هر بخش را روی ویفرهای مجزا تولید کرده اند و سپس با بهره گیری از فناوری پیوند هیبریدی (Hybrid Bonding) آنها را ادغام می کنند؛ نگاهی که بالاتر از ۳۰ درصد ظرفیت ذخیره سازی را در فضای مشابه بهبود می بخشد.
رسیدن به نمونه ی آزمایشگاهی، همواره فاصله ی زیادی با تولید تجاری پایدار دارد. حفظ یکپارچگی سلول ها و نرخ بازدهی در مقیاس صنعتی بزرگ ترین سد پیش روی سازندگان چینی خواهد بود. با این وجود، کوشش های اخیر یادآور راهکارهای نوآورانه ی شرکت هایی نظیر هواوی برای دور زدن محدودیت های زنجیره ی تأمین به شمار می رود؛ شرکت هایی که بجای پیروی از روند مرسوم، قوانین ساختاری تراشه را باز تعریف می کنند.
سهم این شرکت چینی در بازار کلی DRAM پیشرفت خیره کننده ای را نشان می دهد:
رشد سهم بازار از ۴ درصد به ۱۰ درصد طی بازه ی زمانی یک ساله. پیشبرد هم زمان پروژه ی تولید حافظه های موبایل نسل بعدی LPDDR۶ پابه پای رقبای کره ای. تثبیت جایگاه به عنوان تأمین کننده ی محوری در زنجیره ی پردازش هوش مصنوعی. با وجود این که حافظه های با پهنای باند بالا (HBM) که شتاب دهنده های هوش مصنوعی انویدیا به آنها متکی هستند همچنان در سلطه ی رقبا قرار دارند، دستیابی چین به تجاری سازی ۴F² نشانه ای از کاهش وابستگی این کشور به لیتوگرافی های پیشرفته ی غربی است و قواعد رقابت در دنیای نیمه رساناها را دستخوش تغییری اساسی خواهدنمود.
منبع: lebasdooni.ir
این مطلب لباسدونی را می پسندید؟
(1)
(0)
تازه ترین مطالب مرتبط
نظرات بینندگان در مورد این مطلب